硅基氮化镓如何改变5G射频前端生态（小野曝光机电源维修），2016年，MACOM宣布战略性放弃SiC基氮化镓产品，将战略方向转移至研发基于硅衬底的高功率氮化镓(GaN)技术。3年过去了，MACOM无线产品中心资深总监成钢日前在接受本刊采访时表示，硅基氮化镓(GaN-on-Si)相比于横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术的性能优势在4G LTE基站中已经得到了充分验证，将是最适合5G无线基础设施的实际促进技术。未来十年，氮化镓市场规模有望突破10亿美元。
       十年来，LDMOS一直是射频半导体市场的主导技术。但如今，小野曝光机电源维修小编觉得这种平衡很有可能由于硅基氮化镓(GaN-on-Si)技术的出现而被打破。
       硅基氮化镓器件工艺能量密度高、可靠性高，其原始功率密度比当前LDMOS技术的原始功率密度高百分之十。晶圆直径可以从目前的8英寸提升至12英寸，晶圆长度可以拉长至2米。同时，硅基氮化镓器件还具有击穿电压高、导通电阻低、开关速度快、零反向恢复电荷、体积小和能耗低、抗辐射等优势。理论上相同击穿电压与导通电阻下的芯片面积仅为硅的千分之一，目前能做到十分之一。
       与LDMOS相比，硅基氮化镓可提供超过70%的功率效率，将每单位面积的功率提高4-6倍，并且可扩展至高频率。这意味着，氮化镓裸片尺寸将只有LDMOS裸片尺寸的1/6至1/4。同时，综合测试数据已证实，硅基氮化镓符合严格的可靠性要求，其射频性能和可靠性可媲美甚至超越昂贵的碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)替代技术。
       小野曝光机电源维修小编认为，这种高效率优势对于即将商用的5G基站系统来说尤为重要，尤其适用于3D-MIMO天线系统。

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